دانلود پروژه طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی CMOS

دانلود پروژه طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی CMOS

نام پروژه : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی CMOS دو طبقه با نرخ چرخش بالا

 

هدف پروژه :

طراحی یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ( Two Stage ) با استفاده از تکنولوژی CMOS که از نظر بهره حداقل ۸۰ درصد LM741 باشد اما نرخ چرخش (SR) آن حداقل ۱۰ برابر نرخ چرخش LM741 باشد.

 

توضیحات :

از مهمترین محدودیت های آپ امپ ، نرخ چرخش یا Slew Rate می باشد . اگر به ورودی یک تقویت کننده عملیاتی سیگنال پله داده شود ، ولتاژ خروجی به علت وجود خازن جبران ساز داخل تقویت کننده ، به سرعت ولتاژ ورودی صعود نخواهد کرد و شکل پله نخواهد داشت بلکه افزایش ولتاژ خروجی با شیب معینی صورت می گیرد . حداکثر شیب تغییرات ولتاژ خروجی نسبت به زمان را نرخ چرخش گویند و با S.R نشان می دهند .

OPSlewRate

مقدار S.R همانطور که در رابطه فوق دیده می شود ، به ماکزیمم جریان DC مدار و مقدار خازن جبران ساز بستگی دارد . برای آپ امپ ۷۴۱ مقدار نرخ چرخش تقریبا ۰٫۵V/uS است .

برای افزایش نرخ چرخش از آن جایی که نمیتوان مقدار خازن جبران ساز را تغییر داد ، باید جریان DC در مدار را به نحوی افزایش داد تا نرخ چرخش افزایش یابد . با قرار دادن مقدار تقریبی خازن جبران ساز در رابطه فوق در نگاهی دقیق تر داریم :

OPSlewRate2

که در آن w2 قطب دوم مدار و gmi بهره طبقه دیفرانسیلی ورودی می باشد . یعنی برای افزایش نرخ چرخش باید بدون تغییر Imax از طبقه ورودی با gmi کمتر استفاده کرد .

بنابراین در خصوص طراحی مدار آپ امپ با نرخ چرخش حداکثر یک روش استفاده از منابع جریان برای تامین حداکثر جریان ممکن DC و دیگری کاهش گین طبقه دیفرانسیلی ورودی است .

برای طراحی آپ امپ خواسته شده از مدار ساده ترین آپ امپ CMOS که وجود دارد یعنی آپ اپ دو طبقه استفاده می کنیم که به صورت شکل زیر است :

OPTwoStage

عملکرد کلی آپ امپ Two Stage

منبع جریان Iref و ترانزیستورهای Q5 و Q8 به صورت منبع جریان آینه ای نقش بایاس مدار را دارد . ترانزیستورهای Q1 و Q2 به صورت دیفرانسیلی بسته شده و ورودی های آپ امپ می باشد . ترانزیستورهای Q3 و Q4 نقش بار فعال را برای طبقه دیفرانسیلی ایفا می کند . در طبقه بعدی ترانزیستور Q6 نقش یک تقویت کننده سورس مشترک برای افزایش گین خروجی و ترانزیستور Q7 نقش بایاس و بار فعال را برای آن ایفا می کند .

این تنها قسمت کوتاهی از پروژه نهایی بود . شما می توانید سورس کامل پروژه را از الکترو ولت دانلود نمایید .

 

عنوان : پروژه طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی CMOS دو طبقه با نرخ چرخش بالا

 

محتویات پروژه :

  •  گزارش word کامل نحوه انجام پروژه ( طراحی و شبیه سازی ) به فارسی
  • سورس شبیه سازی مدار در نرم افزار OrCAD PSpice 16.6

 

قیمت : ۵,۰۰۰ تومان

لینک خرید آنلاین

این مطلب را با دوستانتان به اشتراگ بگذارید

دیدگاه (3)

  • محمد پاسخ

    سلام وقتتون بخیر
    این فایل توی ورژن 16.5 مشکلی ایجاد نمیکنه ؟
    خروجی چه گینی رو میده ؟
    پهنای باندش چه ؟
    توضیج هم دادین درموردش ؟

    ۰۱/۱۱/۱۳۹۴ در ۱۳:۱۵
    • محمد حسین پاسخ

      سلام دوست عزیز نمیدونم توی ورژن 16.6 تست شده
      گین 70000 و پهنای 1 کیلوهرتز ( در حالت بدون فیدبک ) که میتونه تغییر هم بکنه طوری که حاصلضربشون ثابته
      توضیحات به صورت گزارش در حدود 17 صفحه داده شده است

      ۰۱/۱۱/۱۳۹۴ در ۱۳:۴۱
  • جواد پاسخ

    سلام
    سویینگ مدارچند است؟این طراحی درچه پروسه ای انجام شده؟

    ۳۰/۰۶/۱۳۹۵ در ۰۷:۱۲

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

18 − دوازده =